现代科技离不开芯片，图文并茂阐述芯片的制造过程，想知道吗？
在21世纪就是一个科技腾飞的时代，芯片对于每个国家的高科技企业都是不能缺少的电子器件。那么小伙伴们就会问这些芯片是用什么做出来的，怎么制造出来的呢？下面和网友及粉丝朋
友们一起来分享下。
一、制造芯片需要什么环境呢？
首先芯片内部本身就是由非常微小的晶体管构成，一个普通微处理器就是由数十亿个晶体管连接构
成。所以需要在超洁净的环境下进行生产。图1
图1 超洁净工作环境
二、制造芯片的主要材料单晶硅棒是从哪里来的？
其实沙子（图2）里就包含着丰富的硅元素，通过高温加热和他他的工艺将硅提取出来，然后铸成块状，这
种提纯后的块状硅就称为单晶硅棒（图3）
图2 沙子示意图
图3 单晶硅棒示意图
三、硅棒加工成晶圆
把单晶硅棒再切割成0.5~1.5mm厚度的晶圆（图4），再进行抛光，最后还需要检查，可进入行下
一工序。
图4 图中间部分就是晶圆示意图
四、集成晶体管的制造
制造芯片的第一步骤：
1、在晶圆表面沉积一层二氧化硅
2、在晶圆表面沉积一层氮化硅
3、用旋涂技术将光刻胶滴在晶圆表面再涂抹均匀，形成光刻胶薄膜。图5
图5 沉积氧化硅、氮化硅、滴光刻胶
4、掩膜、曝光、显影
由透明玻璃与不透明铬制作的掩膜版被投影到一个透镜上，透镜它可以缩小掩膜版投影到光刻胶的
图形，光刻胶再被紫外线曝光后就可以溶解即正胶，暗色区域代表将被去除的光刻胶，就是通过专
用的显影液去除显影，显影液将光刻胶下的氮化硅层暴露出来，就是这个绿色部分。图6、图7、
图8。
图6 掩膜
图7 曝光
图8 暴露出来的二氧化硅层
5、腐蚀性液体蚀刻、去除光刻胶.图9
图9 去除光刻胶图片
6、再沉积一层二氧化硅，使晶体管间绝缘，再使用刻蚀和掩膜工艺使硅暴露出来了，再使用匀胶和曝光让光刻胶保护表面的二氧化硅不被掺杂。而暴露出来的硅就可以掺杂。图10、图11
图10 再次沉积二氧化硅
图11 被保护未掺杂
7、掺杂
暴露出来的硅使用离子注入技术进行N型或者P型掺杂，离子注入后去除光胶，掺杂的部分就可以
导电了。图12、图13
图12 掺杂
图13 掺杂具有导电性
8、制作栅极绝缘介质、重复匀胶、曝光、离子注入，制作晶体管源极、漏极，完成第一阶段。
图14
图14 栅极源极绝缘介质
9、制作出栅极、源极、漏极就组成晶体管的基本结构。图15
图15 晶体管基本结构
制造芯片的第二步骤：
1、沉积无掺杂的氧化硅、开出连接用通孔（通过曝光——蚀刻），通孔由金属钨填充，然后制作
晶体管间的电连接。图16
图16 电极连接
2、制作好的晶圆 图18
图18 制作好的晶圆
3、芯片利用圆锯分开、放入封装。图19
图19 晶圆放入封装
4、给晶圆连引脚线，图20
图20 给晶圆连引脚线
5、封装外壳，防尘。图21
图21 封装好外壳防尘
通过上面的步骤，这个芯片的制作流程就结束了，这只是一个最基本的步骤，而在实际制作芯片需
要上百个工序，是非常复杂与繁琐的。
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