LGD将供iPhone SE超500万片OLED;英特尔代工部门展示互连微缩技术突破性进展丨智能制造日报
作者：微信文章1.【消息称台积电2nm芯片生产良率达60%以上，有望明年进入大规模生产阶段】台积电计划明年开始量产2纳米芯片，目前该公司已在位于新竹的台积电工厂进行试产，结果显示其2nm制程的良率已达到60%以上。(搜狐网)
2.【全国单台比特数最多的超导量子计算机“天衍504”发布】12月9日消息，从中电信量子信息科技集团有限公司获悉，在日前举行的2024数字科技生态大会期间，该公司正式发布全国单台比特数最多的超导量子计算机“天衍504”，这标志着其具备了全球领先的量子计算机制造和交付能力。（东方财富网）
3.【三星电子400层NAND完成研发，并已开始导入产线】12月9日消息，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND，其量产预计将于明年下半年开始，但业界预测，如果加快进程，生产可能会在第二季度末开始。(科创板日报)
4.【英特尔代工部门展示互连微缩技术突破性进展】12月9日消息，2024年IEEE国际电子器件会议上，英特尔旗下芯片代工业务部门对外展示了多项技术突破，在新材料方面，公司展示了减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium），最高可将线间电容降低25% ，有助于改善芯片内互连。封装工艺上，英特尔代工还公布了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。此外，为进一步推动全环绕栅极（GAA）微缩，英特尔还推出了硅基RibbionFET CMOS （互补金属氧化物半导体）技术、用于微缩的2D场效应晶体管（2D FETs）的栅氧化层（gate oxide）模块等。（新浪财经）
5.【LGD将供iPhone SE超500万片OLED】LG Innotek和LG Display将分别为苹果明年发布的Phone SE4供应摄像头和显示屏。据悉，LG Innotek 近期已开始在越南工厂量产iPhone SE4相机模组。业内人士表示，除了LG Innotek之外，富士康和韦尔股份也已进入iPhone SE4相机模组的供应链。另外，京东方也收到了iPhone SE4显示屏的订单，LG Display的供应份额已知在25-35%（500万片-700万片）左右。(财联社)
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