我不知道理解的对不对，所以你之前所说的“物流行业的发展”指的是运输过程中的货物的安全性现在达标了，而以前因为不达标所以导致芯片在运输过程中收到损坏以至于不能实现设计生产的分工？
All Computer instructions will finished with ele. circuits, for CISC, for Example, one integral instruction perhaps they can finisched within one CPU cycle use circuits with many elements. but with RISC, one integral they use perhaps3 or 4 CPU cycles, or evan more,but of cause they doing other Jobs meantime. the most problem for RSIC computer is Hasards, WAW, WAR, acutally it become slowly.
此clock cycle非彼clock cycle，对于CISC来说，因为一个时钟周期需要完成所有的指令，因此最长执行时间的指令决定了CPU的频率，而RISC的基本理念是将复杂的指令拆成尽可能费时相等的几个阶段，所用的时钟周期只是略大于CISC下时钟平均除以阶段数（考虑到Pufferregister带来的overhead）。基本上RISC的3，4个周期相当于CISC的一个周期略长。而执行效率就不用说了，像我之前提到的RISC+Pipeling+dynamic scheduling，可能还得加上一些硬件方面的优化算法如Tomasulo，其结果是基本实现一个周期完成一条指令。由此看来，P4采用RISC也不算是个意外。
无尘车间,there are different class of 无尘车间, class 1000, class 100, .. class 1, the number ofz.B.1000 means, 1000 paricle in each curbic meter(or foot, i have forgessen), and 台湾代工厂 for example, "Zhong Xin Guo Ji" is not registerit in China, what i talked is only the factories of our own governments. Some technic, the Taiwan'er can easily get but we not. before the "Liang An Tong Yi" i will not thinking about Taiwan Companies.
我想请问中心国际的无尘车间是哪个class，国家能达到的是多少，另st用来流片龙芯的是多少。
谢谢。 Serial Nr: 0036
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:36 编辑 ] "芯片制造业实际上只是国家综合科技能力的一个缩影，物理，材料，机械，电子，计算机这些基础领域的水平提不上去，缺一项就力不从心。"
非常同意这句话 问个傻问题,什么叫
流片
就是试制的意思么? Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:00 编辑 ] 正好这个Semester考Mikroprozessor，不知道是不是有关系的
（国内没上过大学，所以德语中文对不上）。。。$汗$ $郁闷$ Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:01 编辑 ] Serial Nr: 0029
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:31 编辑 ]
回复 #1 eisenstange 的帖子
:) 好贴，支持，期待中。。。。。 原帖由 eisenstange 于 2006-11-7 22:00 发表流片，个人认为，就是生产样片。
我理解是测试和大规模生产，即Fertigung&Verifikation，如下。
什么是流片？
在芯片制造过程中一般有两段时间可以叫做流片。在大规模生产芯片时，那流水线一样地生产就是其中之一，大家可能很早就已经知道了这个过程叫流片，但下面这种情况就不能尽说其详了。我们在搞设计的时候发现某个地方可以进行修改以取得更好的效果，但又怕这样的修改会给芯片带来意想不到的后果，如果根据这样一个有问题的设计大规模地制造芯片，那么损失就会很大。所以为了测试集成电路设计是否成功，必须进行流片，即从一个电路图到一块芯片，检验每一个工艺步骤是否可行，检验电路是否具备我们所要的性能和功能。如果流片成功，就可以大规模地制造芯片；反之，我们就需要找出其中的原因，并进行相应的优化设计。
我也是看了那篇文章去网上找到的，有时候对国内的名词已经不太熟悉了。$汗$ Serial Nr: 0037
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:37 编辑 ] Serial Nr: 0029
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:32 编辑 ] Serial Nr: 0031
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:33 编辑 ] 原帖由 maedebach 于 2006-9-14 22:23 发表
隔行如隔山,吧过我可以用有限元帮你计算走线而引起的电磁干扰.
$握手$
支持楼主$送花$ $送花$ Serial Nr: 124
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-12-3 22:02 编辑 ] "漂移Drift是由于有电场作用，扩散Diffusion是由于有浓度梯度？"
对
但Schottky管是多子器件，多子漂移占绝对主导，少子扩散几乎不存在，故几乎不存在复合过程，用于高速器件，半导体－金属接触不同于半导体－半导体接触，故schottky管的导通电压低于硅器件，且易受温度影响。 此外，Schottky接触中，金属的能带是不弯曲的，只有半导体区的能带在过渡区内是弯曲的，且，通过重掺杂可以使得过渡区宽度减小，直到变成ohm接触。此外，schottky管子n型居多。 schottky管中金属的电子可谓“取之不尽用之不竭”，无论n型还是p型半导体的载流子数目，和金属部分的电子数目比起来，都少许多各数量级，故可忽略 81楼的问题我也不知道答案，只知道最早是老爱推出来的，而且被试验证实。
其实很多看似简单的问题其实已经触及物理学的根本，仔细推敲，受激辐射StE的来源是至今尚无定论，电磁推迟势，电磁超前势有联系，Freyman，Wheeler曾在40年代对此问题作出过猜测，但未能证明
可参考以下讨论
http://bbs.matwav.com/post/view?bid=57&id=553678&sty=1&tpg=5&age=0
或者直接发帖至
http://bbs.matwav.com
emuch.net/bbs
询问 ”接触生成的过程中电子是从HL去金属还是从金属去HL，这时驱使电子运动的动力叫啥“
既不是漂移也不是扩散，漂移和扩散是载流子输运transport的方式，而其动力是电势能，因为“接触”后的金属和半导体有共同的基准电势载流子会从其高电势能处流向低电势能处，能量最低原理使之。 所谓扩散，是指两类载流子在其自身浓度作用下产生的运动，或曰载流子因其同类相同的电性的排斥而运动，某载流子在某处的扩散电流密度正比于其在该处的密度的梯度，这个比例系数常称为扩散系数
所谓漂移，是指两类载流子在外场（即非自身电场），主要是过渡区内建电场E_in，或者外加电场E_out，或者E_in和E_out叠加，作用下产生的运动，或曰载流子因其外加电场的吸引而运动，某载流子在某处的漂移电流密度正比于1其在该处的密度，2该处的电场强度，比例系数一般称为迁移率
[ 本帖最后由 熊猫羊 于 2006-11-30 01:09 编辑 ] 至于电子越过schottky势的方式，有二，1热激发，2量子隧道效应，
温度越高，电子平均动能越大，能越过势垒的电子数目越多，
此外，金属和半导体的电阻温度系数的正负性可能不同，这也是schootty管温度稳定性能不佳的原因，
重掺杂肯定能减小过渡区宽度，即，schottky势宽，但似乎不能减小schottky势垒高，因为势高等于电子在金属中的溢出功，减去，金属在本征半导体中的亲和势，但势宽的减小足以增大电子越过势垒的概率，从时间上说，单位时间内将有更多的电子越过势垒。
重掺杂是用+表示的 HL是异质层的意思么？ 哦，相通了，HL是半导体的意思 一开始你问的问题中，“Schottky的M-HL扩散和 PN结中的扩散难道没有本质区别么？”个人认为答案是没有本质区别，扩散和漂移的定义是基于其原理的。上文我略微解释过了 此外，关于受激辐射的来源，经典的模型需考虑辐射与两能级粒子系的相互作用，
如想细究
推荐
1 朗道写的 《光的量子论》 第一章5节 唯象的解释，第五章5节，半经典解释
2 邹英华 等 写的 《北京大学现代光学教程 激光物理学》 第四章 第六章
两书，超星有
要求较高，电动力学偶极辐射，微扰理论是前提。而且这只是半经典理论而非严格解，正真的严格解需将辐射场和粒子均量子化，在量子电动力学QED基础上讨论，而且，至今无公认的定论
如果是纯工科，又不研究量子电子学，个人认为没必要深究其原因 考虑完了半导体－半导体接触（经典pn结），半导体－金属接触（schottky势）后，似乎可以考虑以下，金属－金属接触，再加热，能带如何，看看是啥？
提示，热电效应Thermoelectric effect，peltier-seebeck效应，
btw，西铁成有几款手表就是利用热电效应供电的。 此外，多看看wiki Serial Nr: 0030
[ 本帖最后由 eisenstange 于 2007-10-27 15:32 编辑 ] 没啥，到时候把精华都集中到电子资源区即可