好消息何止光刻机！中国科技巨头传来消息，化学材料取得重大突破

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作者：东方科技

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“中国芯”现状

2020年5月，美国突然颁发“芯片禁令”，一夜之间切断了华为所有芯片来源，让这个世界级科技企业的部分业务发展陷入停滞。

华为由于芯片短缺问题，导致手机业务发展陷入停滞，很多人对此表示不解，我国拥有世界最优秀的芯片设计企业、掌握着最先进的芯片制造工艺，为何造不出华为发展所需的高端芯片呢？



对此，任正非表示，虽然我国芯片设计能力、制造工艺均处世界领先行列，但是由于光刻机和化学材料被卡了脖子，导致国内企业无法独自制造出高尖端芯片。

对于“中国芯”所面临的困境，国家不但明确表明大力发展集成电路行业的态度，出台了大量倾斜政策，还成立了国内首所芯片大学，并打造了国内最大的集成电路基地“东方芯港”。

除此之外，我国科研胜地中科院在去年9月中旬明确表态，已根据“卡脖子清单”成立了对应的科研攻关小组，助力中国半导体行业整体水平的提升。

在万众期待下，中国半导体行业不断传来好消息。

EUV光刻机研发提速




2月25日，清华大学正式宣布，其物工系在研究新型加速器光源“稳态微聚束”的过程中，发现了一种波长可以覆盖从太赫兹到极紫外波段的新粒子加速器光源，且这种光源最直接的应用就是EUV光刻机。

光刻机的工作原理就是通过一系列手段，将光束透过刻有集成线路图的样板，经过物镜光学补差后，经过一定比例的缩减后，将集成线路刻在硅片上。这个过程看似繁杂，其实最核心的东西就是对光源的精确利用。



清华大学发现这种光源的消息传出后，不少业内人士表示，我国EUV光刻机的研发工作已经完成了一半，极大地缩短了我国EUV光刻机的研发历程。

作为制造高端芯片的核心物件，怎么可能让EUV光刻机专美？我国的半导体化学材料也取得了重大突破！

ArF光刻胶大获成功

近日，中国半导体巨头南大光电正式宣布，其自主研发的ArF（193nm）光刻胶已交付客户使用，并且获得了用户的认可！



据悉，南大光电其自主研发的ArF（193nm）最高可用作于7nm芯片制造材料，各项测试性能和芯片良品率均达到了世界领先水平。最重要的是，该产品是国内首款自主研发的可用于7nm芯片的光刻胶，填补了国内在该领域的技术空白，打破了日企对高端光刻胶的垄断。

光刻胶作为半导体的核心耗材，其质量的好坏直接影响到晶圆的质量，进而影响到芯片的良品率。

业内人士曾表示，日企在光刻胶领域做得最成功，几乎垄断了世界85％的光刻胶市场份额，只要日企抱团停止出售光刻胶，95％以上的科技实体企业将会无芯可用。

现在，南大光电成功研制出7nm ArF光刻胶，不但填补了国内的技术空白，还直接改变了世界光刻胶市场的格局，意义重大！

写在最后




虽然国内EUV光刻机和化学材料的研发不断取得新进展，但不可否认的是，国内半导体行业的整体水平，依然与发达国家存在着巨大的技术差距，我们要想独自制造出高端“中国芯”，还有很长的一段路要走！

但笔者相信，在国家正确的政策指引下，企业的坚持下，科研人员努力的技术攻关下，国内半导体产业链的整体水平必定能在短时间内得到一个质的提升，打破美国对我们的芯片封锁，也是指日可待！