特朗普:芯片关税最高达300%,两周内制定!中国数模龙头艾为电子2025年半年报解读:从稳健增长到价值重塑

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作者：微信文章


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1.“SEMI-越南半导体博览会2025”11月召开，抢占东南亚市场先机不可错失！2.中国数模龙头艾为电子2025年半年报解读：从稳健增长到价值重塑3.英特尔分拆公司Altera宣布在硅谷总部裁员近百人4.特朗普政府拟入股英特尔！力挺俄亥俄州晶圆厂建设5.HBM驱动键合革命：AI算力时代的半导体设备新战场6.偷技术抢专利撬客户，忍不了！600亿市值设备巨头亮剑维权7.特朗普：芯片关税两周内制定，或高达300%8.传英伟达入局HBM 台积电仍是大赢家



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1.“SEMI-越南半导体博览会2025”11月召开，抢占东南亚市场先机不可错失！

由SEMI新加坡主办的SEMI-越南半导体博览会2025(SEMIEXPO Vietnam2025)将于2025年11月7-8日在越南河内举行，爱集微作为支持单位及中国总代理，本次活动预计吸引 250 家展商、近 5000 名海内外专业观众，涵盖政策制定者、投资者、专家学者及媒体代表，成为中国半导体企业开拓东南亚市场的核心枢纽。

快速成长：成中国企业出海战略首选地

越南近年来半导体产业快速成长，也成为中国企业出海拓展东南亚市场的首选基地之一。数据显示，越南半导体产业规模2024年达182.3亿美元，年均增速11.48%，封装测试环节全球占比提升至15%。

政策红利与产业链优势：越南国会近期通过《科技与创新法》与《数字技术产业法》两部关键基础性法律。越南政府将把国家预算3%用于科技创新发展。2025年，越南政府拟从新增财政收入和储备中拨出10万亿越盾（约4.41亿美元），用于推动科技创新和数字化转型工作。

中国企业先行布局：歌尔股份、京东方等中国企业已在河内及周边省市建立生产基地，与三星、英特尔等形成协同效应。2025上半年，中国集成电路对越南出口123亿美元，占比达13.6%。越南签署多项自由贸易协定，形成低关税壁垒的供应链网络，成为全球消费电子增速最快的市场之一。

SEMIEXPO Vietnam 2025：链接全球资源的核心平台

本次展会由SEMI新加坡主办，聚焦集成电路设计、电子制造服务、制造/设备自动化、供应链（物流）等产业链关键环节，设置200 +标准展位及主题展区，将吸引ASML、英伟达、三星、高通、英特尔、Marvell、Skyworks、Cadence、科磊、ASMPT、爱德万测试、立讯精密等国际企业及越南本土厂商参与。由此，参与本次展会将获得三大核心收益：

直接触达关键环节：大会设立高层对话环节，将与越南副总理直接对话。越南财政部、科技部官员将深度解析发展战略。

对接当地产业链：推出供应商采购计划（SSP），覆盖全产业链条，参会者可现场对接，快速构建本地化网络。

探索市场新机会：越南既有RCEP框架下的关税优势，又可探索东南亚市场新机会，抢占6.8亿人口红利。

携手同行：共绘东南亚半导体新蓝图

越南正以政策、成本与供应链优势融入全球半导体格局，SEMIEXPO Vietnam 2025 将成为中国企业进入区域生态的“黄金入口”。SEMIEXPO Vietnam 2025 将为中国企业提供从参展到落地的全周期服务，助力其在越南实现市场与供应链的双重突破。

此次盛会不仅是技术与产品的展示舞台，更是洞察东南亚市场脉搏、构建跨境合作网络的战略机遇。诚邀业界同仁共赴河内，把握半导体产业“东移”浪潮，共创区域产业链新未来！

更多有关“SEMIEXPO Vietnam 2025”信息，请联系：

孟女士13401132466(同微信）

邮箱：mengying@ijiwei.com





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2.中国数模龙头艾为电子2025年半年报解读：从稳健增长到价值重塑



2025年，随着人工智能基础设施加速部署、先进制程芯片产能释放以及消费电子终端需求复苏，全球半导体行业延续上行态势。世界半导体贸易统计组织（WSTS）预测，2025年全球半导体市场规模将达7009亿美元，较2024年增长11.2%。

受益市场需求增长以及此前布局的创新成果批量落地，上海艾为电子技术股份有限公司（股票简称：艾为电子，股票代码：688798）于2025年上半年凭借技术深耕与市场拓展，交出了一份“营收结构优化、利润大幅增长、毛利率持续提升”的亮眼成绩单。

盈利韧性愈发凸显，经营质量持续升级

财报数据显示，艾为电子上半年实现营收13.7亿元，利润总额1.53亿元，同比增长81.22%；归属于上市公司股东的净利润1.57亿元，同比增长71.09%；扣非后净利润1.23亿元，同比增长81.88%，盈利增速行业领先。



这一增长主要源于三大驱动因素：一是高毛利产品占比持续提升，带动综合毛利率攀升至36.12%，较上年同期提升8.03个百分点，其中第二季度毛利率达37.04%，环比提升1.98个百分点；二是存货管理效率优化，期末存货较上年同期下降，对应存货跌价准备减少，释放利润空间；三是持有的上市公司股票公允价值变动收益同比增长，非经常性损益贡献合理增量。

其中，利润总额、归母净利润、扣非净利润的“三升”态势印证了公司产品结构的持续优化，这背后是艾为电子在高性能数模混合、电源管理、信号链等核心领域的技术突破，高附加值产品如车规级芯片、工业级传感器等出货占比不断提升，推动整体盈利水平上台阶。

与此同时，艾为电子上半年经营活动产生的现金流量净额达7875.21万元，同比大增276.46%，主要得益于“销售商品收到的款项与购买商品支付的货款净额”大幅增加，体现出公司“营收转化为现金”的能力显著增强。同时，期末归属于上市公司股东的净资产达40.4亿元，较上年末增长2.97%，资产结构稳健，为后续发展奠定坚实基础。

研发投入加码，从“填补空白”到“定义标准”

作为一家专注于高性能数模混合信号、电源管理、信号链的集成电路设计企业，艾为电子始终将技术创新作为核心驱动力。2025年上半年，公司研发投入达2.63亿元，占营业收入比例19.2%，较上年同期提升3.21个百分点，高强度研发投入为技术突破与产品迭代提供了强劲支撑。

截至2025年6月末，艾为电子累计获得国内外专利684项（其中发明专利440项，实用新型专利238项，外观设计专利6项），集成电路布图设计专有权610项，软件著作权131项，形成了覆盖“数模混合、电源管理、信号链”三大领域的核心技术矩阵。例如，在射频前端领域，公司研发的“低噪声放大器超级线性度技术（SLT）”将线性度提升超5dB，打破国外巨头垄断；在电源管理领域，“高Ipeak限流精度技术”将精度控制在±4%以内，为客户提供更精准的电感选型方案；在音频领域，“双级AGC技术”可在极短时间内完成10dB衰减，既保护喇叭又提升音量，填补了国内高端音频功放的技术空白；在散热领域，基于“压电陶瓷逆效应”技术开发的新一代微泵液冷主动散热驱动方案，同样填补了国内空白，凭借超低功耗、超小体积、超高背压流量以及超静音散热的特性，极大满足搭载了高性能芯片或算力芯片的消费电子、工业互联设备的散热需求。



上半年，艾为电子主要产品型号达1500余款，2025年上半年度产品销量超27亿颗，重要的是，公司多款创新产品实现量产或试产，从单一芯片供应商向“硬件+算法+服务”的系统解决方案提供商转型。

在汽车电子领域，车规T-BOX音频功放芯片、4*80W车规音频功放芯片通过AEC-Q100认证并批量出货，首款车规级LIN RGB氛围灯驱动SoC芯片在多家车企量产出货，该产品集成高压LIN PHY、MCU及颜色校正算法，为汽车智能座舱提供单芯片解决方案；在消费电子领域，新一代压电微泵液冷主动散热驱动方案满足高算力手机、AI眼镜等设备的散热需求，Haptic触觉反馈芯片支持硅负极电池供电，在多品牌手机客户试产出货；在工业领域，30V以上磁传感器位置检测产品和电机驱动产品丰富了工业级产品线，推动工业互联领域收入快速增长。伴随新产品加速落地，艾为电子正重塑终端解决方案。

在硬件领域持续突破之时，艾为电子还通过算法创新构建生态壁垒。例如，awinicSKTune®神仙算法结合机器学习技术，根据音频信号动态优化音效，已获得行业头部客户认可并实现销售；awinicTikTap®4D触觉Engine软硬件一体方案支持随音振动、游戏场景智能识别，将振动反馈从“单一触感”升级为“沉浸式体验”。此外，公司主导起草《震动触觉反馈系统设计要求》等团体标准，参与制定《虚拟及增强现实设备的声学性能技术规范》，从“技术跟随”走向“标准引领”。

消费电子筑基，工业与汽车成新增长极



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艾为电子以“新智能硬件”为核心应用场景，上半年在消费电子、工业互联、汽车电子三大领域全面突破，客户结构持续优化，市场份额稳步提升。

其中，消费电子为基本盘。在智能手机、PC、可穿戴设备等领域，公司产品覆盖小米、OPPO、vivo、传音、微软、Samsung、TCL、联想、Meta、Amazon、Google等头部品牌，以及华勤、闻泰科技、龙旗科技等知名ODM厂商。上半年，首款数字中功率功放产品在行业头部客户量产，摄像头光学防抖（OIS）芯片实现开环/闭环全系列规模出货，SMA马达驱动芯片导入品牌客户并规模化量产，消费电子领域收入虽受短期需求波动影响，但通过高端品类（如折叠屏手机、AI PC）的渗透，保持了盈利贡献的稳定性。

工业互联领域则持续突破增长空间。公司针对工业场景对“高可靠性、宽电压、抗干扰”的需求，推出30V以上磁传感器位置检测产品、高压多路半桥马达驱动芯片等，已在工业自动化、智慧安防、新能源设备等领域实现批量出货。同时，APT buck-boost产品在5G redcap模块、工业客户中大规模量产，电源管理芯片在服务器、逆变器等领域的渗透率不断提升，工业互联成为继消费电子之后的第二增长曲线。

重要的是，汽车电子加速进入收获期。随着新能源汽车渗透率提升，公司车规级产品进入放量阶段，已导入长安、阿维塔、零跑、奇瑞、吉利、现代、五菱等车企供应链。车规级音频功放芯片、LIN RGB氛围灯驱动芯片、音乐律动MCU等产品实现量产出货，其中车规级4*80W音频功放芯片通过AEC-Q100认证，满足汽车信息娱乐系统的高功率需求；车载T-BOX电源管理芯片为车联网通讯提供稳定供电，推动汽车电子收入同比大幅增长。按照规划，上海临港车规级测试中心项目将于2025年第四季度土建竣工，建成后将显著提升车规芯片的可靠性验证能力，加速汽车领域的国产替代进程。

技术筑基+生态协同，迈向平台型芯片企业



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展望未来，艾为电子将继续聚焦“高性能数模混合、电源管理、信号链”三大核心领域，通过“技术深耕、产品迭代、市场拓展”的三轮驱动，向平台型芯片设计企业迈进。

在技术层面，公司将持续加码55nm/40nm BCD先进工艺研发，推进COT工艺应用，联合晶圆代工厂与封测厂优化先进封装技术，提升产品性能与成本竞争力；在产品层面，重点推进车规级射频前端、工业级高精度传感器、消费电子端侧AI芯片的研发，丰富高附加值产品矩阵；在市场层面，巩固消费电子基本盘的同时，加快汽车电子、工业互联的客户拓展，目标实现“消费电子稳增长、汽车电子翻番、工业互联高增速”的格局。

从填补国内技术空白到重塑终端解决方案，艾为电子的发展轨迹印证了中国集成电路企业的突围路径。随着研发投入的持续转化、车规与工业市场的放量、生态协同效应的显现，公司有望在半导体国产替代浪潮中占据更核心的位置，为投资者带来长期价值回报。



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3.英特尔分拆公司Altera宣布在硅谷总部裁员近百人

据报道，根据提交给加利福尼亚州的《工人调整和再培训通知》（WARN），从英特尔剥离出来的可编程芯片制造商Altera公司宣布，将于今年秋季在其圣何塞总部解雇82名员工，但并未具体说明哪些部门或岗位将受到影响。

Altera成立于1983年，2015年被英特尔以167亿美元收购。该公司最初作为英特尔可编程解决方案事业部运营，今年早些时候成为独立实体。英特尔已将51%的多数股权出售给私募股权公司银湖资本，交易价值87.5亿美元，目前英特尔仍持有Altera 49%的股份，预计交易将于今年晚些时候完成。此次出售旨在赋予Altera运营独立性，同时让英特尔专注于其核心半导体业务。

知情人士表示：“裁员反映了公司在易主后的转型。”这家总部位于圣何塞的公司做出裁员决定之际，英特尔正掀起一波席卷整个湾区和加州的大规模裁员浪潮，数百名员工受到影响。

Altera的裁员行动正值英特尔政治敏感时期。最近，美国总统特朗普公开要求英特尔首席执行官陈立武辞职，理由是他涉嫌与中国半导体公司有关联。然而，在上周一白宫会晤后，特朗普称赞陈立武的职业生涯“精彩绝伦”，随后英特尔股价上涨3.5%。

Altera的可编程芯片广泛应用于电信、数据中心和汽车技术等各种应用领域，使其成为新兴技术市场的关键参与者。收购银湖资本后，Altera获得了运营独立性，旨在加速其在竞争激烈的市场中的创新和敏捷性。



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4.特朗普政府拟入股英特尔！力挺俄亥俄州晶圆厂建设

据知情人士透露，特朗普政府正在与英特尔公司洽谈，希望美国政府入股这家陷入困境的芯片制造商。这是白宫有意模糊政府与产业界界限的最新迹象。

知情人士表示，这笔交易将有助于巩固英特尔计划在俄亥俄州设立的工厂中心。英特尔曾承诺将该工厂打造成全球最大的芯片制造基地，但这一承诺一再被推迟。潜在入股规模尚不清楚。

就在一周前，特朗普总统曾呼吁罢免英特尔首席执行官陈立武，指责他因担心自己此前与中国的关系而“深陷冲突”。

知情人士称，这些计划源于特朗普与陈立武本周的一次会面。知情人士表示，尽管细节尚待敲定，但计划是由美国政府支付这笔股份。不过该计划仍不确定。谈判仍有可能最终无果而终。

英特尔股价周四一度上涨8.9%。纽约证券交易所收盘上涨7.4%，至23.86美元，公司市值约为1044亿美元。常规交易结束后，股价继续上涨4%。

白宫发言人库什·德赛表示：“除非政府正式宣布，否则关于假设性交易的讨论应被视为猜测。”

英特尔代表在一份声明中表示，公司“坚定地致力于支持特朗普总统加强美国科技和制造业领导地位的努力”。

英特尔表示：“我们期待继续与特朗普政府合作，推进这些共同的优先事项，但我们不会对谣言或猜测发表评论。”

直接干预

在英特尔削减开支和裁员的背景下，任何协议都将增强其财务状况。这也表明，陈立武将继续执掌英特尔。

这是特朗普对关键行业的最新直接干预。此前，特朗普政府已达成协议，将获得英伟达及AMD对华部分半导体销售额15%的分成，并持有美国钢铁公司所谓的“黄金股”。

英特尔的提议也与美国国防部今年7月史无前例的声明相呼应。该声明宣布，将持有鲜为人知的美国稀土生产商MP Materials 4亿美元的优先股——这笔交易将使五角大楼成为该公司的最大股东。此举颠覆了投资者、分析师、行业高管，甚至资深政府官员对私营企业如何与政府打交道的传统看法。

此前报道称，联邦政府这些投资举措预计不会是一次性交易，因为特朗普及其政府坚持要扶持其认为对国家安全至关重要的领域中的国内龙头企业。

知情人士表示，政府的一些交易可能正在参考MP Materials的蓝图。这意味着股权投资、担保购买、贷款和私人融资——以及政府合作。

财务困境

作为芯片行业的先驱，英特尔近年来一直举步维艰，受到市场份额和技术优势丧失的打击。陈立武的前任帕特·基辛格将俄亥俄州工厂的扩建项目宣传为复兴计划的一部分。

但英特尔的财务困境使该项目陷入困境。今年早些时候，建设计划被推迟到2030年，该公司在7月份表示，将进一步推迟俄亥俄州的计划。自3月份上任以来，陈立武更加专注于理顺英特尔的财务状况。

英特尔原本有望成为2022年《芯片与科学法案》的最大受益者，尽管该计划在特朗普的领导下目前处于动荡之中。今年早些时候，政府官员提出了让芯片生产巨头台积电作为合资企业运营英特尔工厂的想法。但台积电CEO魏哲家表示，公司计划继续专注于自身业务。



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5.HBM驱动键合革命：AI算力时代的半导体设备新战场

生成式AI的快速发展推动了对高性能AI芯片的需求，进而带动了相关半导体制造设备需求增长。HBM凭借高带宽、低功耗特性成为AI芯片性能突破核心组件，引领了先进封装和3D堆叠技术发展，进而带动相关后道设备需求激增，键合设备正是这场繁荣的第一落点。



在HBM制造中，现阶段HBM3/3E（8–12层）主要依赖传统微凸块（Micro Bump）技术，采用的热压键合（TCB）设备以TC-NCF（非导电薄膜热压键合）与TC-MUF（模塑底部填充热压键合）两条路线并行发展。然而，随着堆叠层数的增加，传统TC-NCF的散热问题被逐渐放大，TC-MUF技术成为新一代HBM量产的主流技术。未来伴随着层数进一步增加以及总高受限的大前提，混合键合则被视为未来HBM进一步演进的关键。

技术迭代，HBM与键合设备需求同频共振

为解决芯片凸块间距缩小时倒装键合回流焊步骤中出现的翘曲和精度问题，当凸块间距达40pm以下时，TCB设备成为主流。据摩根大通预测，HBM TCB设备市场规模将从2024年的4.61亿美元大幅增长，到2027年有望突破15亿美元，实现超两倍的扩张。随着半导体技术向更小尺寸、更高集成度方向发展，TCB设备作为先进封装技术的核心设备，需求显著增加。

包括TCB在内，HBM相关制造设备市场需求激增，众多设备厂商已切实感受到这股热潮。

2025财年第一财季（4-6月），日本DISCO公司非合并出货金额达930亿日元，同比增长8.5%，设备出货量环比增长28%，创下历史新高。其设备为HBM制造中的核心流程TSV提供了全面的技术支持，包括晶圆切割、研磨和抛光等关键工艺；韩国韩美半导体2024年营收同比增长252%至5589亿韩元（约合人民币29.8亿元），其TCB设备主要供应SK海力士、三星和美光等，今年上半年营收达3274亿韩元，全年展望更是高达8000亿至1.1兆韩元；韩华SemiTech通过与SK合作，在技术上取得突破，订单金额达4200亿韩元。ASMPT上半年销售收入65.3亿港元，先进封装营收占比达39%，新增订单总额为71.1亿港元，同比增长12.4%。其TCB设备全球装机量超500台，用于逻辑芯片及HBM3E 12层堆叠的量产，12层堆叠HBM4也进入小批量试产，且获多家客户订单。

这些厂商的业绩长虹充分展示了HBM技术对半导体后道设备市场的冲击，推动各厂商纷纷加大投入，抢占市场蓝海。

从技术演进来看，HBM本身正经历着从低层数向高层数堆叠的快速演进，这直接驱动了键合核心工艺的升级换代。早期HBM（如4层堆叠）主要采用TC-NCF工艺。随着市场对更高容量和带宽的需求，技术逐渐演变为现在主流的8层和12层堆叠（如HBM3/3E），并开始采用TC-MUF工艺。这一工艺转变带来了良率的显著提升和成本的缩减。然而，要满足下一代AI/HPC应用对16层HBM4的要求，3D芯片堆叠技术仍是关键挑战。

在HBM总厚度限制有所放宽的前提下，TCB技术依然有能力实现16层堆叠，但“无焊剂”（fluxless）技术的应用变得至关重要。这是因为16层HBM的层间距进一步缩小，使得传统助焊剂的清洗变得极其困难，助焊剂残留成为影响良率的最主要因素。在这方面，ASMPT的TCB机台凭借在fluxless技术上的领先优势，得以在市场上处于遥遥领先的地位。



当HBM层数进一步增加到20层（如未来的HBM4E/5）时，TCB将逐渐接近其物理极限（如微凸块电阻和信号延迟问题）。这时，混合键合（Hybrid Bonding（HB））技术开始进入核心考量范围，也即40-10μm凸块间距需用TCB，而10μm以下凸块间距则需采用混合键合技术。尽管目前混合键合还面临良率和极高设备成本的挑战，尚未进入成熟应用阶段，但它已被业界广泛认为是HBM封装技术的终极解决方案。

混合键合能够实现更高的集成密度和更低的功耗，在互联密度、速度、带宽密度、能耗以及散热效率方面均优于传统TCB。例如专业测评机构对比AMD W2W混合键合芯片与采用TCB的MI300，混合键合芯片在互联密度、速度、带宽密度及能耗均优于MI300，其中互连密度较TCB技术提高了15倍，速度提升了11.9倍，带宽密度提升191倍，能耗降低20倍；而采用混合键合技术的HBM芯片相比之下堆叠热阻降低了20%，从而显著提升散热效率，信号完整性提高20%，减少信号传输过程中的损耗和干扰，动态功耗降低17%，进而提高整体能效，TSV互连面积减少87%，有效提升空间利用率。因而，混合键合技术被认为是HBM封装中改善散热的最有前景的解决方案，能够支持16层甚至20层以上的堆叠。

Yole数据显示，2024年混合键合设备市场增速达67%，其在HBM市场的渗透率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应市场规模从900万美元爆发式增长至8.73亿美元，年复合增长率超150%。

可以预见，短期内，TCB，尤其是结合了fluxless和MUF工艺的先进TCB，凭借其成熟度与成本优势，将继续主导HBM3E和HBM4的量产。而长期来看（2028年以后），对于20层以上的超高层堆叠（HBM4E/5），混合键合将成为无可替代的选择，当然前提是其良率能够突破且设备成本得以下降。

群雄逐鹿，键合设备厂商拉开攻防战

目前，半导体键合设备市场正因HBM技术迭代迎来格局重塑。国际巨头凭借先发优势占据主导地位，而中国厂商在政策与需求驱动下加速突围，形成多极竞争态势。

在TCB赛道，韩国厂商在部分细分领域具备较强竞争力。HBM热压键合设备的主流工艺路径包括：SK海力士采用的MR-MUF，以及三星电子与美光（Micron）采用的TC-NCF。韩美半导体（Hanmi）的TCB机型可兼容上述两类工艺。按公司与媒体公开信息，2024年Hanmi营收约558.9亿韩元，同比增约252%；在HBM3E 12-Hi量产所用TCB设备这一细分段、以阶段性出货/装机口径统计，其份额一度超过90%。同时，韩美半导体也稳步布局新一代封装技术，包括无助焊剂黏合（fluxless bonding）和混合键合设备。

同样来自韩国的韩华SemiTech自2020年就开始布局HBM相关设备，并成功与SK海力士签下供货合同。2024年，其累计向SK交付12台TCB键合机，总金额达420亿韩元。今年5月，韩华Semitech进行业务重组成立了“先进封装设备开发中心”，计划将其开发能力扩展到HBM生产的关键设备TCB设备之外，以涵盖混合键合设备等下一代技术。

此外，三星作为HBM制造商，也在悄然调整关键设备供应链。以往三星主要从子公司SEMES与日本新川（SHINKAWA）采购TCB设备，但近年已逐步将采购重心转向SEMES，并全面替代新川产品，应用于包括HBM2E在内的多个制程，并以此保障对华为及中国GPU厂的4层HBM供货。依托三星在存储领域的强大实力，SEMES在TCB设备应用与推广方面具有独特优势。

新加坡ASMPT则以超500台TCB的全球装机量构建护城河，TCB作为当前主力，仍然是该公司先进封装业务订单和收入的最大贡献者。目前ASMPT已成功为领先的HBM客户安装了HBM3E 12层堆叠的批量TCB设备，并支持HBM4 12层堆叠的小批量生产（LVM）。其TCB解决方案对于芯片到基板（C2S）逻辑应用也至关重要，ASMPT是领先晶圆代工厂OSAT合作伙伴的独家供应商。



ASMPT在TCB技术方面持续取得进展，其FIREBIRD系列TCB设备提供独特功能，包括可无缝升级至12层及以上堆叠的无助焊剂应用，并能灵活处理不同的HBM封装工艺（NCF、MUF助焊剂/无助焊剂），已交付领先HBM客户用于量产。与领先晶圆代工厂联合开发的用于下一代主动氧化物去除 TCB AOR™️的超精细节距芯片到晶圆（C2W）逻辑应用，正从试生产阶段迈向批量生产。

在混合键合赛道，全球混合键合设备市场主要由国际龙头企业主导，其中荷兰BESI是该领域的龙头，市占率高达67%。其设备广泛应用于3D IC、MEMS和先进封装等领域，尤其在高端市场具有显著优势。为抢占先机，美国的应用材料公司今年4月份宣布收购BESI公司9%的股份，并率先将其混合键合设备导入系统级半导体市场，抢占应用先机。奥地利EVG、德国SUSS也是该领域设备主要供应商。

ASMPT同样将混合键合视为未来更高HBM堆叠的关键，在保持其在TCB市场领导地位的同时，正积极开发和商业化混合键合技术。该公司在2024年第三季度取得了重要里程碑，向一家逻辑客户交付了首台混合键合设备（LITHOBOLT™），并获得了两台用于HBM应用的下一代混合键合设备的首次订单，预计将于2025年第三季度交付。第二代混合键合设备在对准、键合精度、占地面积和每小时处理单元数（UPH）方面具有竞争力。

与此同时，韩美半导体与韩华半导体也在加速研发下一代芯片堆叠设备，这两家韩国厂商不仅在迅速推进混合键合设备研发，还在积极开发无助焊剂键合设备，以此来增强市场竞争力。7月份，LG电子下属的生产技术研究所 (PTI) 也传出已启动混合键合设备开发，目标在2028年实现大规模量产。

随着混合键合市场的初步开启，该技术有望引发半导体设备领域的一场重大洗牌。一旦成功导入，混合键合将可能成为未来20层以上HBM堆叠的主流工艺。

国内方面，键合设备出现了百花齐放的局面，多家公司走出了各具特色的道路。

华卓精科针对HBM芯片制造的关键环节，独立研发了一系列高端设备，包括混合键合设备（UP-UMA HB300）、熔融键合设备（UP-UMA FB300）、芯粒键合设备（UP-D2W-HB）、激光剥离设备（UP-LLR-300）和激光退火设备（UP-DLA-300），打破了国产HBM芯片的发展瓶颈，为我国存储产业的自主化发展提供了强大的动力。

拓荆科技是国内唯一实现混合键合设备量产（W2W）的厂商，其晶圆对晶圆键合产品（dione 300）和芯片对晶圆键合表面预处理产品（propus）均达到国际领先水平，通过头部晶圆厂验证。

艾科瑞思(ACCURACY)曾2023年发布D2W混合键合设备，成为首个被Yole报告收录的中国D2W设备供应商，后续发展不太顺利。



青禾晶元在今年3月发布全球首台独立研发C2W&W2W双模式混合键合设备SAB82CWW系列，在存储器、Micro-LED显示、CMOS图像传感器、光电集成等多个领域展现了广泛的应用前景。

普莱信智能与客户联合开发了Loong系列TCB设备，兼容晶圆级（12英寸）、板级（620×620mm）封装，支持HBM堆叠等全流程工艺。

迈为股份自主研发的全自动晶圆级混合键合设备在今年7月成功交付国内新客户。

随着国产厂商逐步突破关键技术，有望在未来几年内在TCB键合及混合键合设备市场提升市场份额。

未来展望：键合设备的下一个战场

放眼未来，键合设备的竞赛远未到终局，反而刚刚进入真正的技术深水区。

1~2年来HBM仍将以TCB设备为主要量产方式，而随着堆叠层数增加，尤其是16层以后，fluxless TCB会是破局的重要技术。而3~5年之后，当HBM堆叠层数突破至20层，业内依然在考虑优先选用TCB设备，无助焊剂则是必然的选择，其次是尝试处理超薄芯片（<30um）以及更高的贴片精度（0.8um），同时HBM制造商也会在器件结构和材料方面进一步优化创新。还有业内传闻HBM有希望继续突破目前775um总厚度的限制等，都在为TCB设备延续量产生命力铺设台阶。

对于TCB而言，其瓶颈主要在于性能和可扩展性。随着芯片互连密度持续增长，TCB的凸块尺寸和间距成为限制其进一步发展的主要因素，尤其是间距低于10μm时，TCB面临材料极限，例如易形成脆弱金属间化合物、可靠性下降等，这将倒逼成本更高的混合键合走上前台。此外，TCB在极高I/O数（上万以上）芯片上操作时间较长，也可能成为生产瓶颈。热管理与热阻困境也是一个重要挑战，随着堆叠层数增加（如HBM4 16层），TCB工艺的接合间隙高度限制和热量滞留问题加剧，难以满足高功耗堆叠芯片的热耗散需求，可能导致功耗增加和整体容量受限。

当器件达到物理极限，混合键合依然是最终的方案，只不过目前混合键合在HBM领域还不成熟，良率和成本效益还达不到量产的要求。技术方面主要面临极端精度与洁净度壁垒、翘曲与形貌控制难题等。要降低成本，需要提高设备产出/小时（提升贴片并行度或速度）、简化工艺步骤以及提高成品率。其中任何一点都有相当难度：例如提升速度可能影响精度和良率，需要在机器和流程上重大创新。目前业界在尝试通过晶圆级键合和芯粒级键合相结合，优化不同尺寸芯片的良率和成本曲线。

由此可见，TCB要继续支撑更先进封装将受限于可实现的间距和速度，而混合键合要走向大规模商用则需突破成本高和产能低的障碍。总体而言，TCB和混合键合在产能上都面临权衡：精度越高，速度往往越低，这对大规模应用提出挑战。而两者在一定时期内也将并存互补：成本敏感且Pitch≥20-30μm的场合倾向沿用TCB，极致性能要求且Pitch<10μm的先进产品才会使用混合键合。



面对未来战场，设备厂商正从多个维度进行创新。

首先，先进工艺控制是核心方向之一。例如投入开发创新的芯片键合解决方案，以精确解决工艺控制和贴装精度难题。这包括采用非接触式测量实现精确点胶、卓越的XY定位精度、键合力控制以及实时补偿功能，以便在工艺过程中及时验证和纠正问题。

其次，材料创新是另一个重要方向。行业正转向使用耐高温材料，如纳米银浆，以解决功率器件中导电连接因高温和负载变化而老化的问题。

另外，ASMPT的无助焊剂键合技术正在开发中，旨在为2.5D和3D小芯片集成以及具有精细凸块节距路线图的HBM器件实现无残留。

最后，随着AI算力需求持续释放，设备行业可能会出现技术路线变革、市场格局重塑以及新兴技术融合的情况，合作与生态系统发展至关重要。ASMPT正积极与主要客户和领先材料供应商合作，共同开发最佳封装解决方案。例如与IBM在推进Chiplet封装的TCB和混合键合方法方面的合作；与EV Group的联合开发旨在通过结合EVG的芯片制备和晶圆键合技术与ASMPT的超高精度芯片键合能力，提供C2W混合键合的最佳集成客户解决方案。

值得一提的是，奥芯明作为ASMPT集团在中国设立的本土品牌，正积极携手国内晶圆代工、封测、材料及设备生态合作伙伴，构建适配本土工艺路径的先进封装解决方案体系。在HBM关键工艺上，该公司正依托ASMPT成熟的FIREBIRD系列热压键合平台，结合本地客户在工艺开发阶段的特殊需求，优化助焊剂控制、键合力学参数与多芯片协同贴合策略。同时，奥芯明也在推动下一代混合键合技术在中国市场的量产导入条件，包括本地化设备调试团队、本地供应链整合，以及针对中试阶段的快速响应能力建设等。可以说，奥芯明不仅是设备提供者，更积极作为系统方案共建方参与国产HBM堆叠工艺路线的早期评估与验证。通过与国内领先IDM、封测厂及研究机构开展联合评估，其致力于推动从设备到材料、工艺到量产的协同，加快实现具备自主可控能力的HBM国产封装生态落地。

展望未来，随着国内HBM制造技术逐步迈入量产验证阶段，封装环节所需的键合精度、热管理能力与良率保障成为产业链能否落地的关键门槛，对键合设备提出了更极致的对位精度、压力控制与表面洁净度要求。随着AI算力需求持续呈指数级增长，设备厂商也必须在精度、成本、良率的“不可能三角”中取得平衡，才能在这场由算力驱动的“堆叠竞赛”中胜出。



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6.偷技术抢专利撬客户，忍不了！600亿市值设备巨头亮剑维权



在全球高科技企业角逐日趋激烈的当下，知识产权已成为企业核心竞争力的关键载体，也是维护市场公平秩序的关键基石。

8月13日，刚刚上市满月，坐拥600亿市值的国内设备龙头屹唐股份，以“非法获取并使用其核心技术秘密”为由起诉全球半导体设备龙头应用材料引发行业高度关注。

这起案件不仅是激烈市场环境下，中美两家半导体设备巨头之间商战博弈直接交锋的缩影，更体现出中国半导体企业在全球化竞争中敢于亮剑，以法律武器捍卫创新成果和自身合法权益的坚定姿态。

索赔近亿：600亿市值龙头维权

屹唐股份在集成电路制造设备行业发展经营多年，面向全球集成电路制造厂商提供包括干法去胶设备、快速热处理设备、干法刻蚀设备在内的集成电路制造设备及配套工艺解决方案。根据Gartner统计数据，2023年公司干法去胶设备及快速热处理设备的市场占有率均位居全球第二。

利用高浓度、稳定均匀的等离子体进行晶圆表面处理是屹唐股份的关键技术之一，相关技术被广泛应用于公司的干法去胶、干法蚀刻、表面处理及改性等半导体加工设备中。在公告中，屹唐股份指出，“公司在该领域具备领先的原创性技术能力，并拥有相关技术秘密”。

针对此次案件，屹唐股份指出，有证据显示应用材料招聘的曾在屹唐股份全资子公司Mattson Technology, Inc.（以下简称“MTI”）工作的两名涉案员工，在已签署保密协议的情况下，将关于等离子体的产生和处理方法的核心技术“泄露”给应用材料，并在中国境内以申请专利的方式披露了该技术秘密，将该专利申请权据为己有。屹唐股份认为，此举违反了《中华人民共和国反不正当竞争法》的规定，构成侵犯商业秘密的违法行为，对公司的知识产权和经济利益造成严重的损害。



此外，经查，应用材料涉嫌实行将使用涉案技术秘密的产品向中国境内的客户进行推广销售的行为，进一步造成了对屹唐股份商业秘密权益的侵害。

对此，屹唐股份向北京知识产权法院提起诉讼，提出包括“判令被告停止使用、允许他人使用原告技术秘密”等6项诉讼请求，其中要求应用材料赔偿屹唐股份经济损失以及制止侵权的各项合理支出（适用3倍的惩罚性赔偿）合计9999万元，目前法院已立案受理。

对于9999万的金额，屹唐股份表示：“这一金额的确定综合考虑了实际经济损失及惩罚性赔偿因素，彰显我们对恶意侵权行为的零容忍态度。”

诉讼交锋：从容应对“恶意指控”

作为应用材料在快速热处理设备领域的唯一主要竞争对手，屹唐股份近年来在保持国际市场份额稳定的情况下，大力开发国内市场，打破了应用材料的垄断地位，并在国内市场实现了市场份额的高速增长。

正因如此，近年来，应用材料不断通过诉讼、制造舆论等方式，试图干扰屹唐股份的发展，以维持其自身在设备领域的垄断地位。

据公开信息和集微网了解，2022年3月，应用材料便在美国法院发起对一名前员工和MTI的诉讼，指控该员工和MTI“侵犯其商业秘密”。

而实际情况是，应用材料针对该员工的诉讼被法院裁定转为仲裁程序，最终仲裁裁决显示没有发现MTI有任何不当行为。而所谓的MTI“侵犯其商业秘密”一事正在审理中，尽管应用材料始终未提交任何证据支持其对MTI的指控，其仍持续通过该案对 MTI 进行诉讼骚扰，证明了其在该诉讼上的“无中生有”和“别有用心”。

另据集微网了解，此次屹唐股份在国内法院起诉应用材料之前， MTI已在美国法院以同案由对应用材料发起诉讼，目前该案件正在审理中。

破局之战：中国企业知识产权保护意识觉醒

近年来，伴随政策、资本的东风，国内半导体企业取得快速发展，很多在细分领域赛道深耕的国内龙头企业纷纷登陆资本市场并实现突破，有力打破了海外企业在相关领域的垄断格局。

在激烈市场竞争环境之下，一些海外龙头，出于对竞争对手的遏阻策略，频频在IPO临门一脚或企业发展的关键时刻，通过以“专利侵权”或“窃取商业秘密”等理由发起恶意诉讼，干扰国内企业的正常发展。

但实际上，经过多年产业创新、以及知识产权保护环境的培育，如今绝大多数的中国高科技企业，已经不再具有海外企业一直存在的“拿来主义”刻板印象，而是高度重视自主创新、技术护城河的搭建和核心竞争力的构筑。

以屹唐股份为例，其多年来持续保持较高研发投入，截至2025年2月11日，公司拥有发明专利445 项、实用新型专利1项，主要设备相关技术达到国际领先水平。这些具备自主知识产权的核心技术，正是其跻身全球半导体设备领军企业之列的基石。

此外，近年来国内半导体行业发展有一个显著变化——面对海外龙头的骚扰，相关企业开始主动拿起法律武器，从被动防守转向主动出击，同海外巨头展开博弈，这也依托于强大的自研创新的底气。比如中微公司诉科林研发（Lam Research Corporation）、诺思诉安华高、长江存储诉美光等，都取得了积极的成果。

而此次屹唐股份同样选择拿起法律武器，一方面积极应诉并获得美国法院支持，另一方面，在中国法院发起诉讼，展现了中国企业运用法律武器维护自身权益的成熟姿态。

正如屹唐股份强调“公司一贯恪守原创性研发，高度重视知识产权保护”，而此次诉讼正是这一理念的实践宣言——创新者的合法权益不容侵犯，公平竞争的市场秩序必须得到维护。



7.特朗普：芯片关税两周内制定，或高达300%

美国总统特朗普15日表示，他会在未来两周内制定半导体关税，税率有可能高达200%、甚至300%，象征他正准备加大力道迫使芯片制造业回流美国。

据报道，特朗普在飞往阿拉斯加与俄罗斯总统普京会面途中，于空军一号上表示：「我会在下周及再下一周，对钢铁及芯片制定关税。」特朗普一再承诺，对芯片与药品关税将在数周内实施，但至今仍未宣告。

美国商务部自4月起针对芯片与药品业展开调查，这是特朗普以国安理由征收关税的前置程序。这项程序可能相当复杂，调查往往需耗时数月甚至更久才能完成。制造厂商与人工智能（AI）公司一直渴望更明确的半导体关税计划，因为芯片被广泛应用于各种现代消费产品。

上周，特朗普在与苹果公司CEO库克的同场活动表示，他计划对半导体征收100%的关税，但业者若将生产转移至美国，制造的产品将不受影响。

白宫尚未进一步解释该豁免机制如何运作，但特朗普暗示，已承诺6000亿美元美国制造计划的苹果，有可能取得豁免。

特朗普15日指出，起初半导体关税将订定在较低水准，让企业有时间赴美设厂建置产能，随后在一段时间后，关税税率将大幅调升，可能达到200%或300%。特朗普以不确定的口吻说：「我要设定的税率，会是200%、300%吗？」

他说，他有信心企业将赴美设厂，而非选择支付高额关税。

钢铁关税方面，特朗普在2月将钢铝关税提高到25%，但在5月表示将提高到50%；目前尚不清楚他是否打算进一步调高钢铁关税。（来源： 经济日报）



8.传英伟达入局HBM 台积电仍是合作伙伴中大赢家

英伟达传出将跨入HBM base die（堆栈最底层的裸晶）市场，引发业界关注。相关厂商认为，目前该市场竞争激烈，过往掌握在DRAM大厂手中，但随着制程难度提升，ASIC厂商如创意正在锁定相关潜在领域。法人认为，对CSP大厂而言，采用英伟达解决方案机率不高，但NVLink Fusion合作伙伴有望受惠，其中包括联发科、世芯等厂商，将受惠其模组化设计，获得更多商机。

IC设计厂商透露，HBM4以上传输速率要求到10G以上，需以先进制程打造Logic die，因此会委由台积电制作，而ASIC找创意负责。其中，创意HBM4 IP支持高达12Gbps数据传输速率，并纳入32Gbps UCIe-A及UCIe-3D IP等解决方案，为目前业界领先。

法人评估，对创意影响不大，CSP大厂本就需要弹性需求，除了技术最大的考量点是成本，这正是台厂所擅长。不过，英伟达也正针对AI伺服器布局模组化，从Cordelia机柜架构到扩大NVLink Fusion生态系，增加弹性。

英伟达入局HBM base die，能使HBM与GPU、CPU数据传输更顺畅，客户也能根据需求调整。厂商认为，将使英伟达AI服务器渗透更多使用者，世芯、联发科等入列台厂有望受惠。

半导体厂商指出，最大赢家是台积电，与众多芯片大厂密切配合，不断在制程技术精进，满足AI时代快速进步需求。（来源： 工商时报）



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