寻找优秀的学生做硕士论文

hugo

本人现在于里希研究中心负责一个项目。需要寻找1-2个学生做硕士论文。时间一般为半年。论文的方向为：碳化硅薄膜的制备，特征以及其在微晶硅/非晶硅薄膜电池的应用。合适的学生，需要有良好的半导体物理，材料科学的背景知识，优秀的英语听说能力。有实验室工作经历者优先。如工作出色，也有可能在本所继续做博士。有意向的学生，请将简历寄到：y.huang@fz-juelich.de

eisenstange

原帖由 hugo 于 2006-8-15 14:37 发表
本人现在于里希研究中心负责一个项目。需要寻找1-2个学生做硕士论文。时间一般为半年。论文的方向为：碳化硅薄膜的制备，特征以及其在微晶硅/非晶硅薄膜电池的应用。合适的学生，需要有良好的半导体物理，材料科学 ...

在学了一年的半导体物理和生产工艺以后，俺已经发誓再也不踏进Bauelement Lehrstuhl一步了，哈哈。 碳化硅，是新材料么？

hugo

既然你学了半导体物理，就不该问碳化硅是不是新材料了:)
应该说，在我们这里的经历会对照工作有帮助的

eisenstange

俺知道Amorph, Poly Si，基于 Si, GeAs的半导体工艺，对半导体物理么，呵呵仅了解基本原子模型Valenzband, Leitungsband, Fermi,和一些Tunnel效应，熬完了一年的工艺课，俺是绝对不会再去上这个方向的其他课了，呵呵。对这个实在是不感兴趣，没啥数学，全是材料。对于我来说太浪费了。 我们上的这一年里就一个德国的学材料的女生主修材料偏重点半导体材料和我们一起上半导体物理及工艺。看她学的也很没劲。;)

熊猫羊

我大本毕设做的是陶瓷上的激光区熔法多晶硅太阳能电池,也用过SiC做称底,不过我现在的毕设都快做完了.

eisenstange

原帖由 熊猫羊 于 2006-8-15 21:39 发表
我大本毕设做的是陶瓷上的激光区熔法多晶硅太阳能电池,也用过SiC做称底,不过我现在的毕设都快做完了.

请教一下用SiC作Substrat和普通的SiO2绝缘层比或者和陶瓷底比，有什么优点？

康宁

早一年就好了!!
现在DA都快写完的说!!$NO$

能够改成读博的位置不??

hugo

确实也想找个博士生和我做课题。不过，没在这做过硕士，我不只你的情况，背景知识，实验技能。不过，有兴趣的话，还是可以把简历发给我的

eisenstange

原帖由 hugo 于 2006-8-16 12:09 发表
确实也想找个博士生和我做课题。不过，没在这做过硕士，我不只你的情况，背景知识，实验技能。不过，有兴趣的话，还是可以把简历发给我的

你不用犹豫了，熊猫的水平不是一般的强，估计教授招到这样的学生会比较高兴，而且语言上没有障碍。

中国任何一所大学培养出来的硕士和这里的比起来各个方面都欠缺好多。拿俺们方向来说，从第一学期到第十学期毕业总共要学48门课（没有英语，政治，人文选修，体育，军训，全是专业课），而且都是最少每周4小时的课。;)

hugo

原帖由 eisenstange 于 2006-8-17 07:39 发表


你不用犹豫了，熊猫的水平不是一般的强，估计教授招到这样的学生会比较高兴，而且语言上没有障碍。

:) 是么，那很好啊。不过，我们的标准也很高。



中国任何一所大学培养出来的硕士和这里的比起来各个方面都欠缺好多。拿俺们方向来说，从第一学期到第十学 ...

:):)不同意这种说法。可知，山外有山，人外有人的道理？

熊猫羊

原帖由 eisenstange 于 2006-8-15 23:32 发表


请教一下用SiC作Substrat和普通的SiO2绝缘层比或者和陶瓷底比，有什么优点？

当时的Betreuer认为,SiC衬底上CVD上多晶硅相对其他氧化物陶瓷上CVD硅容易,因为晶格相似性较大,区熔法中CVD的微晶/多晶硅和衬底的附着性很重要,尤其是高温下的附着性,否则,温度过高或者受热不均硅就会"起球",就像撒在塑料板上的水滴的不浸润现象一样,最后冷却掉.我做毕设前国内的区熔法多是热区熔,我本科学的激光,当时的Betreuer想搞激光区熔,两人一拍即合,其实我从他那里学了很多固体和凝聚态的知识,但我的激光只是着实有限,以致于,只有多晶硅薄片的激光区熔还出了点结果,其他衬底上的区熔全部严重起球,没结果,最后换回到热区熔做的,最后又跑题做了些别的和激光有关的仪器.

熊猫羊

原帖由 eisenstange 于 2006-8-17 07:39 发表


你不用犹豫了，熊猫的水平不是一般的强，估计教授招到这样的学生会比较高兴，而且语言上没有障碍。

申明,我的水平很一般

eisenstange

原帖由 熊猫羊 于 2006-8-19 01:24 发表


当时的Betreuer认为,SiC衬底上CVD上多晶硅相对其他氧化物陶瓷上CVD硅容易,因为晶格相似性较大,区熔法中CVD的微晶/多晶硅和衬底的附着性很重要,尤其是高温下的附着性,否则,温度过高或者受热不均硅就会"起 ...

原来CVD的吸附性也有不同，这个俺们倒是没有讨论过，在半导体行业里，主流陶瓷或者氧化硅，我猜氧化硅的生产应该比SiC简单吧，直接干氧化或者湿氧化都可以，能否讲讲这个SiC一般怎么生产？还有你说的区熔法的德语或者英文是啥，是用在Chip Boding上的么（估计不是）;)？

熊猫羊

"SiC一般怎么生产？" 我也不知道,当时直接拿到的是SiC片子

区熔法 是 区熔再结晶法 的简称 英文 ZMR Zone Melting and Recrystalization

eisenstange

原帖由 熊猫羊 于 2006-8-19 13:09 发表
"SiC一般怎么生产？" 我也不知道,当时直接拿到的是SiC片子

区熔法 是 区熔再结晶法 的简称 英文 ZMR Zone Melting and Recrystalization

作为半导体器件的硅材料“统治”半导体器件已50年有余，硅性能潜力的进一步挖掘是很有难度的。有关半导体器件材料的研究从70年代，特别是80～90年代以来，砷化镓（GaAs）、半导体金刚石、碳化硅（SiC）的研究始终在进行着。进入90年代以后，对碳化硅的研究达到了热点。实验表明，应用SiC的半导体器件其导通电阻只有Si器件的1/200；如电压较高的硅功率MOSFET，导通压降达3～4伏，而SiC功率MOSFET，导通压降小于1伏，而关断时间小于10ns。实验表明，电压达300伏的SiC肖特基二极管（另一电极用金、钯、钛、钴均可），反向漏电流小于0.1mA/mm，而反向恢复时间几乎为零。

一段时间曾认为砷化镓很有希望取代硅半导体材料，现在实验表明，碳化硅材料性能更优越。SiC的研究所以滞后于GaAs，主要原因是SiC晶体的制造难度太大。当温度大于2000℃时，SiC尚未熔化，但到了2400℃时SiC已升华变成气体了。现在是利用升华法直接从气体状态生长晶体。目前的问题是要进一步改善SiC表面与金属的接触特性和进一步完善SiC的制造工艺，这些问题预计在5～10年内得到解决。当应用SiC制造的半导体器件得到广泛应用时，对电力电子技术的影响将会是革命性的。

eisenstange

不错，有新的材料可供选择总是好的，不过估计离真正占据半导体行业主流还有相当长的距离，如果生产工艺成本降不下来也是个问题。

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碳化硅（SiC, Silicon Carbide）材料有许多优异的性能，如耐磨削、耐高温、耐腐蚀、高热导率、高化学稳定性、宽带隙以及高电子迁移率等。磨料、冶金和高温承载件是目前碳化硅的主要应用领域。目前，世界SiC总产量约150万吨/年，中国产量最大，约占30%,年产量约45万吨左右。中国SiC生产企业主要集中于宁夏、青海、四川、甘肃、山东等地。作为世界最大的碳化硅生产国与出口国，中国碳化硅的产销对于世界碳化硅行业有着重要影响。但我国碳化硅行业目前绝大多数SiC生产企业仍采用Achtson生产工艺，而且生产技术十分落后。其生产特点是炉型小，供电时间短，生产周期短，产品档次不高。在炉体大型化方面与国外存在较大差距，其产品质量差、能耗高、单炉产量小，生产不安全。今后，我国SiC企业要想保持有强劲市场份额，必须要在低电价、低能耗、低运输成本、高一级品率、高单炉产率和安全性是的六大关键因素上狠下功夫。

　    国外SiC生产的特点是炉型大，供电时间长，生产周期长，产品质量好。生产炉型多为1万KW以上炉型，单炉冶炼时间多数超过7天。俄罗斯等国的最大炉型长度可达60m，冶炼时间达数百小时。这些炉型生产的SiC品质纯正，附加值高，价格是中国目前小炉型产品价格的3倍左右。